סוג האירוע

בחר הכל

הרצאות פומביות

קולוקוויום

סמינרים

כנסים וימי עיון

מועדון IAP

מבחן/תחרות

צהרי יום א'

הרצאות לקהל הרחב

ימים פתוחים וייעוץ

טקסים ואירועים מיוחדים

תחום האירוע

בחר הכל

הפקולטה למדעים מדויקים

ביה"ס למדעי המתמטיקה

ביה"ס לפיזיקה ולאסטרונומיה

המועדון האסטרונומי

ביה"ס לכימיה

מרכז לחקר אינטראקציות אור חומר

פרס סאקלר במדעים הפיזיקליים - כימיה

סימפוזיונים והרצאות מיוחדות

החוג למדעי כדור הארץ

ביה"ס למדעי המחשב

ביה"ס למדעי כדור הארץ

החוג ללימודי הסביבה

סמינר בכימיה פיזיקלית: Organic Interfaces and Defect Healing of 2D Semiconductors

Prof. Doron Naveh, Head of Nanoelectronics program at the Faculty of Engineering, Bar-Ilan University

28 בפברואר 2019, 16:00 
בניין שנקר, אולם מלמד 006 
סמינר בכימיה פיזיקלית

Abstract:

Over the past decade two-dimensional transition metal dichalcogenide (TMDC) semiconductors have attracted much attention owing to their unique electronic structure and to their potential application in next generation electronic and optoelectronics devices.  Typically, TMDC semiconductors have a characteristic intrinsic carrier density originating from radical adsorption at the chalcogen vacancy sites. These shallow defects are a source for carrier scattering degrading the transport and for recombination centers resulting in high order many-body phenomena such as charged optical excitations. Interestingly, chalcogen vacancies can be utilized as anchoring sites for organic molecules, providing a knob for tuning the spectra of defect levels of two-dimensional TMDC semiconductors. Here, the recent study on thiol passivation of WSe2 will be discussed in detail. We quantify the vacancy defect density and their energy spectra and ultimately the removal of defect states and Fermi-level shift of defect-free WSe2 monolayers. 

אוניברסיטת תל אביב עושה כל מאמץ לכבד זכויות יוצרים. אם בבעלותך זכויות יוצרים בתכנים שנמצאים פה ו/או השימוש
שנעשה בתכנים אלה לדעתך מפר זכויות, נא לפנות בהקדם לכתובת שכאן >>